オープニング　　

会社案内　　

「化合物パワー半導体（SiC, GaN）の3DAP-STEM複合分析」

　東芝ナノアナリシスでは、半導体・金属・新素材を中核とした幅広い分野の受託分析を行っています。国内受託会社として唯一導入している3次元アトムプローブ（3DAP、APT）は、ナノメートルスケールでの元素分布を3次元で観察することができ、薄膜積層膜の界面評価や欠陥への元素偏析など、半導体デバイスの評価に適した分析手法です。本セミナーでは、化合物パワー半導体（SiC, GaN）の3DAP-STEM複合分析の事例をご紹介します。

東芝ナノアナリシス株式会社

物理解析技術センター　TEM解析技術ラボ

城後　香里 様　　

「半導体向けAFM ナノエレクトロニクス評価技術最前線～表面形状からナノスケール電気特性評価まで～」

　半導体は様々な産業分野で使用されており、その用途の細分化とともに表面の状態だけでなく半導体工程や性能を左右する電気特性評価が重要になっています。半導体はスマートフォン、ゲーム機などの小型機器から、5Gの基地局や電車などの大型機器まで様々な分野で使用されています。更に医療現場での最先端技術、自動車の運転支援や走行制御などにも使用されています。

本ウェビナーではナノ表面形状からナノスケール電気特性評価に関するAFMを用いた測定事例を紹介します。

ブルカージャパン株式会社

ナノ表面計測事業部

アプリケーション部　アプリケーションエンジニア　寺山 剛司　　

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