RAVEnm-VI ｜RAVE fp-Ⅲ｜RAVE EL-C｜WaferClean 2200

高精度ナノマシニングリペア装置
RAVE nm-VI

• 7nmノード以降最先端半導体デバイス向けフォトマスクを高精度に修正
• デジタルコントロールにより、さらに修正精度を向上。
• NanoBit™プローブのコントロールをデジタル化することにより、Edge Placement≦2nm、Z制御≦1nmを実現しました。ハーフトーン、レベンソン、クオーツ（CPL）などの次世代向けフォトマスクも高精度に修正することが可能です
• 最先端HAR NanoBit™を使用することで、微細パターンやハイアスペクトパターンの欠陥を高精度に修正します。
• BitCleanオプション機能を追加することにより、修正を必要としないようなマスク上の異物を、ウェット洗浄をはじめとする異物除去または修正工程なしで簡易に除去することが可能です

フォトマスク高品質フェムト秒レーザリペア装置
RAVE fp-III

• 最先端半導体デバイス用フォトマスクリペアシステム
• フェムト秒パルスレーザー技術の採用により石英基板への損傷、再付着から発生する透過率劣化やガリウム汚染等の現象を回避しながら、マスク修正を高速で実現します。
• 高精度ステージコントロールテクノロジーとDUVイメージング技術の組み合わせにより高精度なマスク修正を実現します。

マスク向けCO₂精密ドライクリーニング装置
RAVE EL-C

• フォトマスク用リペア残渣やドライクリーニングによるパーティクル除去
• マスク縦置きクリーニングによりパーティクルの再付着をコントロール
• マスク表裏面のクリーニングに対応
• 独自ノズルの採用により、最先端のパターンへのダメージが無い洗浄が可能に
• SMIFポッドロードロックとチャンバー内のISO Class3レベルの環境保持機能の搭載によりクリーン環境でのプロセスが可能に

ウエハ向けCO₂ドライクリーニング装置
WaferClean 2200

• ウェハ向けCO₂精密ドライクリーニングによるパーティクル除去
• 最適化された独自ノズルの採用によりCO₂の流速、粒径、密度コントロールが可能に
• MEMSなどの脆弱部でのパーティクルからラピッドイアーなどの残渣にも対応
• ケミカルフリープロセスによりウェハ表面のの改質がありません
• 研究開発向けマニュアルウェハロード式装置もラインナップ（VersaClean 1400)