セミコンダクター
銅配線 （Copper Traces）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 画像説明： | 半導体上の銅配線を3次元光学イメージを使って秒単位で計測したイメージ。高さと幅が均一であることがわかる。 |
CMPパッドコンディショナー （CMP Pad Conditioner）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 画像説明： | Visionソフトウェアで干渉データを3次元解析した結果で、CMPパッドコンディショナー上に現れたダイヤモンド構造がみられる。 |
PCBボード （PCB Bumps）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 画像説明： | バンプとビアを含むPCBボードの3次元光学イメージ。 |
銅パッド上のビア （Via Copper Trace）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 画像説明： | 銅パッド上のビアの形状を測定した3次元光学イメージ。 |
TSV測定 （TSV Measurement）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 画像説明： | 高アスペクト比のTSV（シリコン貫通電極）形状測定。 |
バンプ （Bumps）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 画像説明： | 半導体デバイス上のバンプの3次元光学イメージ。虹色は高さを示し、赤い部分は、最も高い場所を示し、紫色の部分は一番低い場所を示す。 |
バンプ測定 （Bump Measurement）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | SP9900 |
| 画像説明： | 3次元光学イメージ。ハンダブリッジや欠落バンプの部分が明瞭に観察できる。 |
AcuityXR デモンストレーションビデオ （AcuityXR Demonstration）
| アプリケーション： | 材料科学、セミコンダクター |
| 測定技術： | 3次元光干渉粗さ計 |
| 測定に用いた装置： | ContourGT |
| 画像説明： | AcuityXRは米国のR&D100賞を受賞した技術である。Acuity XRを使うと水平分解能が3倍以上改善され、130nm以下、あるいはナノスケールの構造が確認でき、計測の再現性が5倍以上改善される。 GUIの取り扱い易さと、測定の速度、出力データがわかる完全なデモンストレーション。 |
アルミニウム粒子 （Aluminum Grains）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 測定に用いた装置： | Dimension |
| 画像説明： | 異なる温度で成長させたアルミニウムグレインのイメージ。タッピングモードは、アーティファクトの起因となるチップダメージがなく、同じプローブですべてのサンプルを測定できる。
スキャンサイズ：5um×5um |
(CdZn)Se薄膜 （(CdZn)Se Thin Film）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 測定に用いた装置： | MultiMode |
| 画像説明： | 研究者は長い間ナノサイズの半導体材料の電気的、物理的特性に興味を持ってきた。特に2-4族半導体は、光電子デバイスおよび光電気化学太陽電池(PEC)での役割に興味がある。(CdZn)Seは、光学バンドギャップが広く、また、よい安定性のため候補の一つと考えられている。
(CdZn)Seでは、Cd、ZnおよびSeの分布はTappingMode AFM(左)および位相イメージング(右)によって視覚化することができる。(CdZn)Se薄膜中のZnは重要な役割を果たし、最終的にPEC太陽電池が経済的に実行可能かどうかに大きく影響する。 スキャンサイズ：5um×5um データのご提供：J.B. Park, Korea Basic Science Institute, and S.D. Chavhan, S. Baek, and S.H. Lee, Chonbuk National University, South Korea |
パラセクシフェニルの薄膜 （Thin Film of Para-Sexiphenyl）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 画像説明： | 結晶性KCl基板上にホットウォールエピタキシー技術で成長させて、有機半導体（パラセクシフェニル）が高度に配向した薄膜のタッピングモードイメージ。
スキャンサイズ：5um×5um データのご提供：A. Andreev, Linz Institute for Organic Solar Cells (LIOS), University of Linz, Austria. |
チタンナイトライド粒子 （Titanium Nitride Grains）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 画像説明： | チタンナイトライド粒子のタッピングモードイメージ。
スキャンサイズ：10μm x 5μm |
SRAMデバイス （SRAM）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 画像説明： | SRAMデバイスのインプラント領域を観察したタッピングモードイメージ。
スキャンサイズ： 23μm |
半導体デバイス （Semiconductor Device）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 画像説明： | SCMモードのもっとも一般的なアプリケーションの一つは、不均一にドープされた半導体のキャリア濃度をマッピングする機能。現在では、一般的なSIMSやSRP、1次元C-V測定などによって、1次元ではあるが非常に高い精度と分解能でドーパントあるいはキャリアー濃度の情報を得ることができる。こうして、1次元の情報から2次元の情報も定量的に推察することが可能である。しかし、SCMは2次元の活性化されたキャリアー濃度の情報がナノメートルスケールで直接得られる素晴らしい可能性がある。イメージは、左が形状像で、右がSCM像であり、形状像の明るい部分は、成長させた70nm高さの熱酸化シリコン(SiO2)である。SCM像は、不純物濃度を決定し、酸化膜厚の分布が確認できる。SCM像で明るい丸と、長方形の部分は、高濃度でドープされたAs+イオンを示し、50 keV エネルギーで 1014
ions/cm2のドーズ量である。SCMイメージ中の明るいコントラストの部分は、厚い酸化膜の部分で、AC電圧を加えたときのキャパシタンス変化 ( dC/dV )が、高濃度でドープしたように非常に小さい変化を示す。つまり、この結果はSCMが絶縁体部分の相対的な確認ができることを示唆している。
スキャンサイズ：70μm x 70μm |
エッチバック工程 （SOG Etchback Process）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 画像説明： | 3段階エッチバック工程（シリコン－スピンオン－酸化ガラス）を経た半導体デバイスの形状像 。左上のイメージはSOGでコートされた後の形状像で、2番目のイメージ（右上）は、SOGエッチバックを最適化した後の形状像。3番目のイメージは、30%以上SOGエッチバックした後の形状像。
スキャンサイズ：50μm x 50μm |
ZnOのナノ構造 （ZnO Nanostructure）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 画像説明： | このイメージは、2つのAu電極間に析出したZnOのナノ構造である。ZnOとAu電極は、EBL（電子線リソグラフィー）を使って形成された。ZnOワイヤの端がなみなみの形状になるのは電子ビームが原因である。著者は、半導体のナノ構造の成長や過程を研究し、デバイスに応用することを研究課題としている。
スキャンサイズ： 1.9μm データのご提供：Jason Brotherton, Patrick Price, David Araujo, and William Knowlton, Materials Science and Engineering Department and Electrical and Computer Engineering Department, Boise State University, USA |
磁気ドメインパターン （Magnetic Stripe Domains）
| アプリケーション： | セミコンダクター |
| 測定技術： | AFM |
| 画像説明： | マグネトロンスパッタで垂直異方性を持つようにCo/Pt積層したもの。ドメインは面内で消磁して方向をそろえており、膜をスクラッチすると、磁気ドメインパターンの特徴的線欠陥を発生させる(MFMイメージ）。
スキャンサイズ： 15μm データのご提供：O. Hellwig, M. Best and E. Fullerton, IBM Almaden Research Center, San Jose, CA. |
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