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イベント情報

ブルカージャパン(株) ナノ表面計測事業部は、ナノプローブテクノロジー第167委員会の企業会員です。 ナノプローブテクノロジー第167委員会とは日本学術振興会の設置する61の産学協力研究委員会の1つであり、走査型プローブ顕微鏡(SPM)の基礎・応用技術の組織的発展を目標に活動しています。
167委員会のHPはこちら
http://www.npt167.jp/
Bruker グローバルサイト

セミコンダクター

銅配線 (Copper Traces)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: 3次元光干渉粗さ計
画像説明: 半導体上の銅配線を3次元光学イメージを使って秒単位で計測したイメージ。高さと幅が均一であることがわかる。

CMPパッドコンディショナー (CMP Pad Conditioner)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: 3次元光干渉粗さ計
画像説明: Visionソフトウェアで干渉データを3次元解析した結果で、CMPパッドコンディショナー上に現れたダイヤモンド構造がみられる。

PCBボード (PCB Bumps)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: 3次元光干渉粗さ計
画像説明: バンプとビアを含むPCBボードの3次元光学イメージ。

銅パッド上のビア (Via Copper Trace)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: 3次元光干渉粗さ計
画像説明: 銅パッド上のビアの形状を測定した3次元光学イメージ。

TSV測定 (TSV Measurement)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: 3次元光干渉粗さ計
画像説明: 高アスペクト比のTSV(シリコン貫通電極)形状測定。

バンプ (Bumps)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: 3次元光干渉粗さ計
画像説明: 半導体デバイス上のバンプの3次元光学イメージ。虹色は高さを示し、赤い部分は、最も高い場所を示し、紫色の部分は一番低い場所を示す。

バンプ測定 (Bump Measurement)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: SP9900
画像説明: 3次元光学イメージ。ハンダブリッジや欠落バンプの部分が明瞭に観察できる。

AcuityXR デモンストレーションビデオ (AcuityXR Demonstration)

アルミニウム粒子 (Aluminum Grains)
アプリケーション: 材料科学、セミコンダクター
測定技術: 3次元光干渉粗さ計
測定に用いた装置: ContourGT
画像説明: AcuityXRは米国のR&D100賞を受賞した技術である。Acuity XRを使うと水平分解能が3倍以上改善され、130nm以下、あるいはナノスケールの構造が確認でき、計測の再現性が5倍以上改善される。 GUIの取り扱い易さと、測定の速度、出力データがわかる完全なデモンストレーション。

アルミニウム粒子 (Aluminum Grains)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
測定に用いた装置: Dimension
画像説明: 異なる温度で成長させたアルミニウムグレインのイメージ。タッピングモードは、アーティファクトの起因となるチップダメージがなく、同じプローブですべてのサンプルを測定できる。
スキャンサイズ:5um×5um

(CdZn)Se薄膜 ((CdZn)Se Thin Film)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
測定に用いた装置: MultiMode
画像説明: 研究者は長い間ナノサイズの半導体材料の電気的、物理的特性に興味を持ってきた。特に2-4族半導体は、光電子デバイスおよび光電気化学太陽電池(PEC)での役割に興味がある。(CdZn)Seは、光学バンドギャップが広く、また、よい安定性のため候補の一つと考えられている。
(CdZn)Seでは、Cd、ZnおよびSeの分布はTappingMode AFM(左)および位相イメージング(右)によって視覚化することができる。(CdZn)Se薄膜中のZnは重要な役割を果たし、最終的にPEC太陽電池が経済的に実行可能かどうかに大きく影響する。
スキャンサイズ:5um×5um
データのご提供:J.B. Park, Korea Basic Science Institute, and S.D. Chavhan, S. Baek, and S.H. Lee, Chonbuk National University, South Korea

パラセクシフェニルの薄膜 (Thin Film of Para-Sexiphenyl)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
画像説明: 結晶性KCl基板上にホットウォールエピタキシー技術で成長させて、有機半導体(パラセクシフェニル)が高度に配向した薄膜のタッピングモードイメージ。
スキャンサイズ:5um×5um
データのご提供:A. Andreev, Linz Institute for Organic Solar Cells (LIOS), University of Linz, Austria.

チタンナイトライド粒子 (Titanium Nitride Grains)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
画像説明: チタンナイトライド粒子のタッピングモードイメージ。
スキャンサイズ:10μm x 5μm

SRAMデバイス (SRAM)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
画像説明: SRAMデバイスのインプラント領域を観察したタッピングモードイメージ。
スキャンサイズ: 23μm

半導体デバイス (Semiconductor Device)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
画像説明: SCMモードのもっとも一般的なアプリケーションの一つは、不均一にドープされた半導体のキャリア濃度をマッピングする機能。現在では、一般的なSIMSやSRP、1次元C-V測定などによって、1次元ではあるが非常に高い精度と分解能でドーパントあるいはキャリアー濃度の情報を得ることができる。こうして、1次元の情報から2次元の情報も定量的に推察することが可能である。しかし、SCMは2次元の活性化されたキャリアー濃度の情報がナノメートルスケールで直接得られる素晴らしい可能性がある。イメージは、左が形状像で、右がSCM像であり、形状像の明るい部分は、成長させた70nm高さの熱酸化シリコン(SiO2)である。SCM像は、不純物濃度を決定し、酸化膜厚の分布が確認できる。SCM像で明るい丸と、長方形の部分は、高濃度でドープされたAs+イオンを示し、50 keV エネルギーで 1014 ions/cm2のドーズ量である。SCMイメージ中の明るいコントラストの部分は、厚い酸化膜の部分で、AC電圧を加えたときのキャパシタンス変化 ( dC/dV )が、高濃度でドープしたように非常に小さい変化を示す。つまり、この結果はSCMが絶縁体部分の相対的な確認ができることを示唆している。
スキャンサイズ:70μm x 70μm

エッチバック工程 (SOG Etchback Process)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
画像説明: 3段階エッチバック工程(シリコン-スピンオン-酸化ガラス)を経た半導体デバイスの形状像 。左上のイメージはSOGでコートされた後の形状像で、2番目のイメージ(右上)は、SOGエッチバックを最適化した後の形状像。3番目のイメージは、30%以上SOGエッチバックした後の形状像。
スキャンサイズ:50μm x 50μm

ZnOのナノ構造 (ZnO Nanostructure)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
画像説明: このイメージは、2つのAu電極間に析出したZnOのナノ構造である。ZnOとAu電極は、EBL(電子線リソグラフィー)を使って形成された。ZnOワイヤの端がなみなみの形状になるのは電子ビームが原因である。著者は、半導体のナノ構造の成長や過程を研究し、デバイスに応用することを研究課題としている。
スキャンサイズ: 1.9μm
データのご提供:Jason Brotherton, Patrick Price, David Araujo, and William Knowlton, Materials Science and Engineering Department and Electrical and Computer Engineering Department, Boise State University, USA

磁気ドメインパターン (Magnetic Stripe Domains)

アプリケーション: セミコンダクター
測定技術: AFM
画像説明: マグネトロンスパッタで垂直異方性を持つようにCo/Pt積層したもの。ドメインは面内で消磁して方向をそろえており、膜をスクラッチすると、磁気ドメインパターンの特徴的線欠陥を発生させる(MFMイメージ)。
スキャンサイズ: 15μm
データのご提供:O. Hellwig, M. Best and E. Fullerton, IBM Almaden Research Center, San Jose, CA.